Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SSM6P35 |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 42pF @ 10V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | U-MOSVII |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Напряжение сток-исток | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Ta) |
| Power - Max | 150mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Корпус производителя | ES6 |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|