Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SSM6P16 |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11 pF @ 3 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150mW (Ta) |
| Корпус | Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Корпус производителя | ES6 |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|