SSM6N42FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N42FE(TE85L,F)

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6

УстаревшийSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 500mA, 4.5V
Базовый Part NumberSSM6N42
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90pF @ 10V
ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA
Power - Max150mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Корпус производителяES6

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)