Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 119mOhm @ 1A, 4V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SSM6N39 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 10V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Power - Max | 500mW |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Корпус производителя | UF6 |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|