SSM6L820R,LXHF

Name: SSM6L820R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF

В производстве6-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Конфигурация	N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA

Напряжение сток-исток	30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Power - Max	1.4W (Ta)