SSM6K819R,LXHF

Name: SSM6K819R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

Аналоговые и силовые компоненты

AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV

В производстве6-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	25.8mOhm @ 4A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1110 pF @ 15 V
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Серия	Automotive, AEC-Q101
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA

Напряжение сток-исток	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	1.5W (Ta)

Рабочая температура	175°C