SSM6K818R,LF

Name: SSM6K818R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

Аналоговые и силовые компоненты

N-CH MOSFET 30V, +/-20V, 15A ,0

В производстве6-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 4A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1130 pF @ 15 V
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 100µA

Напряжение сток-исток	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	1.5W (Ta)

Корпус	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)