SSM6K516NU,LF

Name: SSM6K516NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB

В производстве6-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	46mOhm @ 4A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 15 V
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+20V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA

Напряжение сток-исток	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	1.25W (Ta)

Рабочая температура	150°C