SSM6K211FE,LF

Name: SSM6K211FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

В производствеSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	47mOhm @ 2A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	510 pF @ 10 V
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Серия	U-MOSIII
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA

Напряжение сток-исток	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	500mW (Ta)

Рабочая температура	150°C (TJ)