Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 126mOhm @ 1A, 4V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 500mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Корпус производителя | ES6 |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|