SSM6K202FE,LF

Name: SSM6K202FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

В производствеSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 1.5A, 4V
Базовый Part Number	SSM6K202
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	270 pF @ 10 V
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA

Напряжение сток-исток	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	500mW (Ta)

Рабочая температура	150°C (TJ)