SSM6J825R,LF

Name: SSM6J825R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

Аналоговые и силовые компоненты

P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A

В производстве6-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 4A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	492 pF @ 10 V
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+10V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA

Напряжение сток-исток	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	1.5W (Ta)

Рабочая температура	150°C