Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 3A, 8.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SSM6J771 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | U-MOSVI |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.2W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-UFBGA, WLCSP |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|