Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 4A, 8V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 6 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | U-MOSVII |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 12 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.25W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 6-UDFNB (2x2) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|