Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 100MA USV
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SSM5N16 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3 pF @ 3 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | π-MOSVI |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Корпус производителя | 5-SSOP |
| Рабочая температура | 150°C(TJ) |
|---|