SSM5H90ATU,LF

Name: SSM5H90ATU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 2.4A UFV

В производстве5-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 1.5A, 4V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 10 V
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA

Напряжение сток-исток	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.4A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	500mW (Ta)

Рабочая температура	150°C