Toshiba Semiconductor and Storage
SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 800mA, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 177 pF @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | Automotive, AEC-Q101, U-MOSVII-H |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 500mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Корпус производителя | UFM |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|