Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 10mA, 4V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SSM3K17 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7 pF @ 3 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1µA |
| Напряжение сток-исток | 50 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Корпус производителя | USM |