Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 500mA, 4.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SSM3K116 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 245 pF @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | U-MOSIII |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 500mW (Ta) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Leads |
|---|---|
| Корпус производителя | UFM |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|