Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 134mOhm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | U-MOSVI |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2W (Ta) |
| Package / Case | SOT-23-3 Flat Leads |
|---|---|
| Корпус производителя | SOT-23F |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|