Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 15 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | U-MOSVI |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-23-3 Flat Leads |
| Корпус производителя | SOT-23F |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|