Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SSM3J15 |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.1 pF @ 3 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | π-MOSVI |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 100µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-723 |
| Корпус производителя | VESM |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|