SSM3J140TU,LXHF

Name: SSM3J140TU,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

Аналоговые и силовые компоненты

SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V

В производстве3-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	25.8mOhm @ 4A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 10 V
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Серия	U-MOSVI
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+6V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA

Напряжение сток-исток	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.4A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	500mW (Ta)

Корпус	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)