Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 149mOhm @ 600mA, 4V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 331 pF @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 500mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 3-SMD, Flat Leads |
| Корпус производителя | UFM |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|