SSM10N954L,EFF

Name: SSM10N954L,EFF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

Аналоговые и силовые компоненты

COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13

В производстве10-SMD, No LeadАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.75mOhm @ 6A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 4 V
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 1.11mA

Напряжение сток-исток	12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	800mW (Ta)

Рабочая температура	150°C