Toshiba Semiconductor and Storage
NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | RN4988 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 250MHz, 200MHz |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
|---|---|
| Корпус производителя | US6 |