RN2910,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2910,LF(CT

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF

В производствеSC-61AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRN2910
ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)4.7kOhms
Transistor Type2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 5V
Power - Max200mW
Frequency - Transition200MHz

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-61AA
Корпус производителяSMQ