Общие
| Базовый Part Number | MT3S16 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2.4dB @ 1GHz |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S16U(TE85L,F)
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 1V |
| Power - Max | 100mW |
| Frequency - Transition | 4GHz |
| Gain | 4.5dBi |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Корпус производителя | SC-70 |
Среда
| Рабочая температура | 125°C (TJ) |
|---|