Общие
| Базовый Part Number | MT3S111 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S111P(TE12L,F)
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Power - Max | 1W |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 10.5dB |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-243AA |
| Корпус производителя | PW-MINI |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|