Общие
| Базовый Part Number | JDH2S02 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 0.25pF @ 200mV, 1MHz |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
JDH2S02SL,L3F
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTTKY 10V 10MA SL2
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 10 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 500 mV |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 2-SMD, No Lead |
| Корпус производителя | SL2 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
|---|