Общие
| Базовый Part Number | HN4A51 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A51JTE85LF
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Power - Max | 300mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-74A, SOT-753 |
| Корпус производителя | SMV |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|