Общие
| Базовый Part Number | HN2S03 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2S03T(TE85L)
Аналоговые и силовые компоненты
DIODE ARR SCHOTT 20V 50MA TESQ
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550 mV @ 50 mA |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 50mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 20 V |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Корпус производителя | TESQ |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
|---|