Общие
| Базовый Part Number | HN2D01 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.6 ns |
| Технология | Standard |
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01JE(TE85L,F)
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 100 mA |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 80 V |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-553 |
| Корпус производителя | ESV |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
|---|