Общие
| Базовый Part Number | HN2D01 |
|---|---|
| Diode Configuration | 3 Independent |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Технология | Standard |
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FU(TE85L,F)
Аналоговые и силовые компоненты
DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 100 mA |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 80mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 80 V |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Механические
| Корпус | Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус производителя | US6 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
|---|