Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | HN1C03 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 3mA, 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 4mA, 2V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
|---|---|
| Корпус производителя | US6 |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|