Toshiba Semiconductor and Storage
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | GT60N321 |
|---|---|
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.5 µs |
| Td (on/off) @ 25°C | 330ns/700ns |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Power - Max | 170 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3PL |
| Корпус производителя | TO-3P(LH) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|