Общие
| Тип входа | Standard |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 800 ns |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
Toshiba Semiconductor and Storage
GT50N322A
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Power - Max | 156 W |
Механические
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус производителя | TO-3P(N) |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|