Общие
| Тип входа | Standard |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | В производстве |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
Toshiba Semiconductor and Storage
GT50JR22(STA1,E,S)
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Power - Max | 230 W |
Механические
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-3P(N) |
Среда
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
|---|