Общие
| Тип входа | Standard |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
Toshiba Semiconductor and Storage
GT50J341,Q
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Power - Max | 200 W |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус производителя | TO-3P(N) |
Среда
| Рабочая температура | 175°C(TJ) |
|---|