Toshiba Semiconductor and Storage
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | GT40RR21 |
|---|---|
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 600 ns |
| Switching Energy | -, 540µJ (off) |
| Test Condition | 280V, 40A, 10Ohm, 20V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Power - Max | 230 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус производителя | TO-3P(N) |
| Рабочая температура | 175°C(TJ) |
|---|