Общие
| Gate Charge | 270 nC |
|---|---|
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Switching Energy | -, 1.3mJ (off) |
| Test Condition | 300V, 60A, 39Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 60A |
Toshiba Semiconductor and Storage
GT30N135SRA,S1E
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Power - Max | 348 W |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247 |
Среда
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
|---|