Toshiba Semiconductor and Storage
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | GT10J312 |
|---|---|
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200 ns |
| Td (on/off) @ 25°C | 400ns/400ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Power - Max | 60 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|