Общие
| Базовый Part Number | CVJ10F30 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
CVJ10F30,LF
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 1A UFV
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570 mV @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 30 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Корпус производителя | UFV |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
|---|