Общие
| Базовый Part Number | CUS08F30 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 170pF @ 0V, 1MHz |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS08F30,H3F
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 220 mV @ 10 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 30 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-76, SOD-323 |
| Корпус производителя | USC |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
|---|