Общие
| Базовый Part Number | CUS06 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS06(TE85L,Q,M)
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450 mV @ 700 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 20 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SC-76, SOD-323 |
| Корпус производителя | US-FLAT (1.25x2.5) |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|