Общие
| Базовый Part Number | CUHS10 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 0V, 1MHz |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS10F60,H3F
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 60 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 2-SMD, Flat Lead |
| Корпус производителя | US2H |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
|---|