Общие
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100 ns |
| Технология | Standard |
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF01A,LQ(M
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 600V 2A M-FLAT
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 2 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 600 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Box |
|---|---|
| Package / Case | SOD-128 |
| Корпус производителя | M-FLAT (2.4x3.8) |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 150°C |
|---|