Общие
| Базовый Part Number | BAS316 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3 ns |
| Технология | Standard |
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS316,H3F
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 250mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 nA @ 80 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-76, SOD-323 |
| Корпус производителя | USC |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
|---|