Общие
| Базовый Part Number | 3SK293 |
|---|---|
| Конфигурация | N-Channel Dual Gate |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Noise Figure | 2.5dB |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET |

Toshiba Semiconductor and Storage
RF MOSFET 6V USQ
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | 3SK293 |
|---|---|
| Конфигурация | N-Channel Dual Gate |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Noise Figure | 2.5dB |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET |
| Voltage - Rated | 12.5 V |
|---|---|
| Voltage - Test | 6 V |
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 30mA |
| Частота | 800MHz |
| Gain | 22dB |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Корпус производителя | USQ |