Общие
| Базовый Part Number | 2SK879 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK879-Y(TE85L,F)
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
JFET N-CH 0.1W USM
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 400 mV @ 100 nA |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.2 mA @ 10 V |
| Power - Max | 100 mW |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Корпус производителя | USM |
Среда
| Рабочая температура | 125°C (TJ) |
|---|